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IXFT50N60P3 IXFQ50N60P3
IXFH50N60P3
80
70
Fig. 7. Input Admittance
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
60
T J = 125oC
25oC
50
40
- 40oC
80
60
25oC
125oC
30
40
20
20
10
0
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
140
120
100
80
60
9
8
7
6
5
4
V DS = 300V
I D = 25A
I G = 10mA
40
T J = 125oC
3
20
0
T J = 25oC
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
100
Coss
100
10
1
f = 1 MHz
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100μs
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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